У двошаровому MoS2 зафіксували пряму заборонену зону через укладання шарів
Дослідники описали пряму заборонену зону у двошаровому MoS2 із 1H-укладанням, вирощеному методом хімічного осадження.
Дослідники повідомили про формування прямої забороненої зони у двошаровому дисульфіді молібдену MoS2 із 1H-укладанням, вирощеному методом хімічного осадження з газової фази. Результати роботи опубліковано в Nature.
У статті йдеться, що тип укладання атомарних шарів визначає електронні властивості двошарового матеріалу. Автори досліджували 1H-, 3R- та 2H-варіанти структури MoS2, отримані за модифікованою двоетапною схемою хімічного осадження з газової фази.
Методи дослідження
Для характеристики зразків команда застосувала раманівську спектроскопію, фотолюмінесценцію, вимірювання кругового дихроїзму та атомно-силову мікроскопію. Структуру матеріалу також вивчали за допомогою сканувальної просвічувальної електронної мікроскопії та аналізу електронної дифракції.
Електронну структуру зразків досліджували методом кутово-розділеної фотоелектронної спектроскопії. Окремо автори провели розрахунки електронних зонних структур у межах теорії функціонала густини.
Учасники роботи
Над дослідженням працювали науковці з Національного педагогічного університету Тайваню, Массачусетського технологічного інституту, Національного університету Тайваню, Національного університету Ян Мін Чяо Тун та інших установ. Експерименти з фотоелектронної спектроскопії проводили на лініях Taiwan Photon Source у Національному центрі досліджень синхротронного випромінювання в Сіньчжу.
Автори зазначили, що всі дані, необхідні для оцінки висновків, наведені в статті та додаткових матеріалах; вихідні дані також додано до публікації.
