Micron представила дорожню карту DRAM і NAND до виробництва в США

Micron у новій дорожній карті розкрила плани щодо DRAM і 3D NAND, зокрема застосування літографії High-NA EUV, нових матеріалів і спеціалізованих кремнієвих рішень. Компанія також планує виробляти пам’ять 1δ DRAM у США, а її NAND 11-го покоління матиме понад 400 шарів, повідомляє Tom's Hardware.

У виданні зазначили, що інтерес до NAND і DRAM зріс на тлі попиту на швидші та потужніші прискорювачі штучного інтелекту. Детальний огляд дорожньої карти охоплює технологічні проєкти Micron на найближчі роки.

Плани GlobalFoundries без EUV

Також у щотижневій добірці представлено інтерв’ю віцепрезидента GlobalFoundries Судіпто Бозе про технологію FDX Fusion. Вона базується на перевіреній DUV-літографії та передбачає використання вдосконалених планарних транзисторів. За даними компанії, технологія має забезпечити продуктивність рівня 7 нм і застосовуватися в різних пристроях, зокрема в центрах обробки даних.

GlobalFoundries орієнтується на масове виробництво FDX Fusion у 2030 році. В інтерв’ю обговорюється рішення компанії розвивати цю технологію без переходу на EUV-обладнання, яке використовують багато інших виробників напівпровідників.

Сенсорний MacBook і нові платформи

Окремий матеріал присвячено рішенню Apple випустити у 2026 році MacBook із сенсорним дисплеєм OLED, який компанія називає PROLED. Автори розглянули причини появи цієї функції у лінійці Apple, тоді як сенсорні екрани та OLED-панелі вже давно доступні у ноутбуках на Windows.

Добірка також містить огляд очікуваної платформи Intel Nova Lake та сумісних із нею материнських плат. Йдеться про новий процесорний роз’єм і чипсети Nova Point, Z990, Z970 та B960, а також про чутки щодо високих частот Boost і великого кешу останнього рівня bLLC. Серед інших тем — заплановане придбання Lumentum компанією Marvell за $115 млрд у вигляді обміну акціями, уразливість PHP, модель Google Gemini 4 Carbon і пам’ять Z2RAM від Nagare Labs.