суботу, 3 жовтня 2026 р.
Новини
У Nature представили метод епітаксійного вирощування на рівні пластини p-типового бор-вуглець-нітриду для транзисторних структур.
Історії
Дослідники повідомили про епітаксійне вирощування на рівні пластини p-типового бор-карбон-нітриду з високою рухливістю.
Підпишіться на наші інформаційні бюлетені, отримуйте сповіщення